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Numéro d'article | BSC100N10NSFGATMA1 |
LIXINC Part # | BSC100N10NSFGATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSC100N10NSFGATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSC100N10NSFGATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 11.4A (Ta), 90A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 110µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 44 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2900 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 156W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TDSON-8-1 |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN |
NVMFS5C468NLAFT3G | MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN | 849 Plus sur la commande |
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SI7615BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK | 928 Plus sur la commande |
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IPB083N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | 981 Plus sur la commande |
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EPC2218 | GANFET N-CH 100V DIE | 13696 Plus sur la commande |
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BUZ73AE3046XK | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 | 826 Plus sur la commande |
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FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK | 9649 Plus sur la commande |
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IRFB9N65APBF-BE3 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB | 1986 Plus sur la commande |
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SIHG47N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC | 1401 Plus sur la commande |
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RM75N60T2 | MOSFET N-CHANNEL 60V 75A TO220-3 | 817 Plus sur la commande |
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TPCA8128,LQ(CM | MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP | 885 Plus sur la commande |
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FCPF600N60Z | MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F | 207386 Plus sur la commande |
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RM60P60HD | MOSFET P-CHANNEL 60V 61A TO263-2 | 838 Plus sur la commande |
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DMT6017LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO | 3275 Plus sur la commande |
En stock | 10871 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.07000 | $2.07 |
5000 | $2.07000 | $10350 |
10000 | $2.02657 | $20265.7 |
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