IXTF200N10T | Wickmann / Littelfuse IXTF200N10T | IXTF200N10T Inventory, Best Pricing

IXTF200N10T

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Numéro d'article	IXTF200N10T
LIXINC Part #	IXTF200N10T
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXTF200N10T Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXTF200N10T Caractéristiques

Numéro d'article:	IXTF200N10T
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	TrenchMV™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	9400 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	156W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	ISOPLUS i4-PAC™
paquet / caisse:	i4-Pac™-5