NTGD4169FT1G

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Numéro d'article NTGD4169FT1G
LIXINC Part # NTGD4169FT1G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTGD4169FT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTGD4169FT1G Caractéristiques

Numéro d'article:NTGD4169FT1G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.5 nC @ 4.5 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:295 pF @ 15 V
fonction fet:Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):900mW (Ta)
température de fonctionnement:-25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP
paquet / caisse:SOT-23-6

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