DMN30H4D0LFDE-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

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Numéro d'article	DMN30H4D0LFDE-7
LIXINC Part #	DMN30H4D0LFDE-7
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMN30H4D0LFDE-7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMN30H4D0LFDE-7 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMN30H4D0LFDE-7
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	300 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	550mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.7V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	7.6 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	187.3 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	630mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	U-DFN2020-6 (Type E)
paquet / caisse:	6-PowerUDFN