IPD50R399CPBTMA1

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Numéro d'article IPD50R399CPBTMA1
LIXINC Part # IPD50R399CPBTMA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPD50R399CPBTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IPD50R399CPBTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPD50R399CPBTMA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:CoolMOS™
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 330µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:890 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):83W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO252-3-313
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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