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Numéro d'article | FDB047N10 |
LIXINC Part # | FDB047N10 |
Fabricant | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDB047N10 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDB047N10 |
Marque: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 4.7mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 210 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 15265 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 375W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | D²PAK |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FQI27N25TU-F085 | 25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL | 5007 Plus sur la commande |
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NTMFS5C460NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1018 Plus sur la commande |
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2N7002P,235 | MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB | 262031 Plus sur la commande |
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RQ6E045BNTCR | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT | 3022 Plus sur la commande |
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NTE2930 | MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML | 1190 Plus sur la commande |
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NVMFS5C410NLT3G | MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN | 984 Plus sur la commande |
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FQA32N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 36230 Plus sur la commande |
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AOTF190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | 1666 Plus sur la commande |
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R5011ANJTL | MOSFET N-CH 500V 11A LPTS | 966 Plus sur la commande |
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NTMFS4C08NT1G-001 | MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN | 3956 Plus sur la commande |
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NVMFS4C05NWFT1G | MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN | 60853 Plus sur la commande |
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SQJ460AEP-T2_GE3 | MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8 | 848 Plus sur la commande |
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IRFS7730TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 1620 Plus sur la commande |
En stock | 12984 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.44000 | $4.44 |
800 | $2.60130 | $2081.04 |
1600 | $2.43685 | $3898.96 |
2400 | $2.32173 | $5572.152 |
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