TK8A10K3,S5Q

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Numéro d'article TK8A10K3,S5Q
LIXINC Part # TK8A10K3,S5Q
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK8A10K3,S5Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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TK8A10K3,S5Q Caractéristiques

Numéro d'article:TK8A10K3,S5Q
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSIV
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:120mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:12.9 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:530 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):18W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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