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FDFMA2P859T

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Numéro d'article	FDFMA2P859T
LIXINC Part #	FDFMA2P859T
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDFMA2P859T Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDFMA2P859T Caractéristiques

Numéro d'article:	FDFMA2P859T
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	PowerTrench®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	435 pF @ 10 V
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	1.4W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	MicroFET 2x2 Thin
paquet / caisse:	6-UDFN Exposed Pad