PSMN8R5-100ESQ | Rochester Electronics PSMN8R5-100ESQ | PSMN8R5-100ESQ Inventory, Best Pricing

PSMN8R5-100ESQ

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	PSMN8R5-100ESQ
LIXINC Part #	PSMN8R5-100ESQ
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PSMN8R5-100ESQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PSMN8R5-100ESQ Caractéristiques

Numéro d'article:	PSMN8R5-100ESQ
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	111 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5.512 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	263W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA