FDC655AN

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Numéro d'article FDC655AN
LIXINC Part # FDC655AN
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDC655AN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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FDC655AN Caractéristiques

Numéro d'article:FDC655AN
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:PowerTrench®
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:6.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:27mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:830 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.6W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SuperSOT™-6
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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