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Numéro d'article | IPD60R600E6 |
LIXINC Part # | IPD60R600E6 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD60R600E6 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD60R600E6 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | CoolMOS™ |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 7.3A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 200µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 20.5 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 440 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 63W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SI7326DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | 3151 Plus sur la commande |
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NTTFS4C13NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN | 1497720857 Plus sur la commande |
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NTE2376 | MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247 | 1086 Plus sur la commande |
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SPW35N60C3FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 | 848 Plus sur la commande |
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IRLR014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 1438 Plus sur la commande |
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DMN60H080DS-7 | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 | 343158 Plus sur la commande |
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SIHP21N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB | 1044 Plus sur la commande |
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NTF6P02T3G | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 925 Plus sur la commande |
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IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB | 5185 Plus sur la commande |
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BSZ025N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON | 90441 Plus sur la commande |
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BSC883N03LSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15991 Plus sur la commande |
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PH3120L,115-NXP | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 937 Plus sur la commande |
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PSMN012-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB | 22132 Plus sur la commande |
En stock | 15449 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
2500 | $0.52000 | $1300 |
5000 | $0.49711 | $2485.55 |
12500 | $0.48075 | $6009.375 |
25000 | $0.46768 | $11692 |
62500 | $0.45459 | $28411.875 |
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