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Numéro d'article | IPB017N10N5LFATMA1 |
LIXINC Part # | IPB017N10N5LFATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPB017N10N5LFATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPB017N10N5LFATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™-5 |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4.1V @ 270µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 195 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 840 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 313W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO263-7 |
paquet / caisse: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
SI3459BDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP | 1504 Plus sur la commande |
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NTP5D0N15MC | MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220 | 962 Plus sur la commande |
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IRF9Z14PBF-BE3 | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB | 1961 Plus sur la commande |
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CSD17551Q3A | CSD17551Q3A 30V N-CHANNEL MOSFET | 53865 Plus sur la commande |
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STU8N80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A TO251 | 829 Plus sur la commande |
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PMXB40UNEZ | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3 | 1453 Plus sur la commande |
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SPI21N50C3XKSA1 | MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3 | 873 Plus sur la commande |
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MMDF2P01HDR2 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 18011 Plus sur la commande |
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STF9HN65M2 | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP | 967 Plus sur la commande |
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AUIRF7732S2TR | MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC | 8780 Plus sur la commande |
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STL3N10F7 | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT | 3769 Plus sur la commande |
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DMN3016LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | 240573402 Plus sur la commande |
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IXTQ180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO3P | 30465 Plus sur la commande |
En stock | 10943 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.82000 | $7.82 |
1000 | $4.43720 | $4437.2 |
2000 | $4.27287 | $8545.74 |
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