HUFA76609D3S

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Numéro d'article HUFA76609D3S
LIXINC Part # HUFA76609D3S
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HUFA76609D3S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HUFA76609D3S Caractéristiques

Numéro d'article:HUFA76609D3S
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:UltraFET™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:425 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):49W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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