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Numéro d'article | NVMFS5830NLWFT1G |
LIXINC Part # | NVMFS5830NLWFT1G |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | NVMFS5830NLWFT1G Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | NVMFS5830NLWFT1G |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | Automotive, AEC-Q101 |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 29A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | - |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 113 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 5880 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3.8W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | 927 Plus sur la commande |
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MCB130N10Y-TP | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 28139 Plus sur la commande |
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AUIRF7739L2TR | MOSFET N-CH 40V 46A/270A DIRECT | 69246 Plus sur la commande |
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RJK0395DPA-00#J53 | MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK | 3933 Plus sur la commande |
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NTMFS5C442NLT1G | MOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN | 2258 Plus sur la commande |
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SIHJ690N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8 | 4004 Plus sur la commande |
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FDP2572 | MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3 | 1557 Plus sur la commande |
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IRFR7746PBF | HEXFET POWER MOSFET | 2274 Plus sur la commande |
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STB12NM50T4 | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | 806 Plus sur la commande |
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SQP90P06-07L_GE3 | MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB | 2211 Plus sur la commande |
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IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA | 906 Plus sur la commande |
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BSC020N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON | 6428 Plus sur la commande |
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SIHP35N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB | 1883 Plus sur la commande |
En stock | 15047 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.96000 | $0.96 |
1500 | $0.96000 | $1440 |
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