RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 | RQ3E100MNTB1 Inventory, Best Pricing

RQ3E100MNTB1

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Numéro d'article	RQ3E100MNTB1
LIXINC Part #	RQ3E100MNTB1
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RQ3E100MNTB1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RQ3E100MNTB1 Caractéristiques

Numéro d'article:	RQ3E100MNTB1
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	*
emballer:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.9 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	520 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-HSMT (3.2x3)
paquet / caisse:	8-PowerVDFN