IKZ75N65ES5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKZ75N65ES5XKSA1 | IKZ75N65ES5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKZ75N65ES5XKSA1

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Numéro d'article	IKZ75N65ES5XKSA1
LIXINC Part #	IKZ75N65ES5XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IKZ75N65ES5XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IKZ75N65ES5XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IKZ75N65ES5XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	TrenchStop™ 5
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	80 A
courant - collecteur pulsé (icm):	300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 75A
puissance - maximum:	395 W
énergie de commutation:	1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	164 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	46ns/405ns
condition de test:	400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	72 ns
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-4
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO247-4