FGD3N60LSDTM-T

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Numéro d'article FGD3N60LSDTM-T
LIXINC Part # FGD3N60LSDTM-T
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGD3N60LSDTM-T Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FGD3N60LSDTM-T Caractéristiques

Numéro d'article:FGD3N60LSDTM-T
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):6 A
courant - collecteur pulsé (icm):25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.5V @ 10V, 3A
puissance - maximum:40 W
énergie de commutation:250µJ (on), 1mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:12.5 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:40ns/600ns
condition de test:480V, 3A, 470Ohm, 10V
temps de récupération inverse (trr):234 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252, (D-Pak)

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