NGTG20N60L2TF1G

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Numéro d'article NGTG20N60L2TF1G
LIXINC Part # NGTG20N60L2TF1G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NGTG20N60L2TF1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NGTG20N60L2TF1G Caractéristiques

Numéro d'article:NGTG20N60L2TF1G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):-
courant - collecteur (ic) (max):-
courant - collecteur pulsé (icm):-
vce(on) (max) @ vge, ic:-
puissance - maximum:-
énergie de commutation:-
type d'entrée:-
frais de porte:-
td (marche/arrêt) @ 25°c:-
condition de test:-
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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