IXXP12N65B4D1

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Numéro d'article IXXP12N65B4D1
LIXINC Part # IXXP12N65B4D1
Fabricant Wickmann / Littelfuse
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IXXP12N65B4D1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IXXP12N65B4D1 Caractéristiques

Numéro d'article:IXXP12N65B4D1
Marque:Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Wickmann / Littelfuse
série:XPT™, GenX4™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):38 A
courant - collecteur pulsé (icm):70 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 12A
puissance - maximum:160 W
énergie de commutation:440µJ (on), 220µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:34 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:13ns/158ns
condition de test:400V, 12A, 20Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):43 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB

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