IKP10N60TXKSA1

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Numéro d'article IKP10N60TXKSA1
LIXINC Part # IKP10N60TXKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 600V 20A 110W TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IKP10N60TXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IKP10N60TXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IKP10N60TXKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:TrenchStop®
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT, Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):20 A
courant - collecteur pulsé (icm):30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.05V @ 15V, 10A
puissance - maximum:110 W
énergie de commutation:430µJ
type d'entrée:Standard
frais de porte:62 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:12ns/215ns
condition de test:400V, 10A, 23Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):115 ns
température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220-3

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