FGH25N120FTDS

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Numéro d'article FGH25N120FTDS
LIXINC Part # FGH25N120FTDS
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 50A 313W TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGH25N120FTDS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FGH25N120FTDS Caractéristiques

Numéro d'article:FGH25N120FTDS
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:*
emballer:TubeTube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):50 A
courant - collecteur pulsé (icm):75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 25A
puissance - maximum:313 W
énergie de commutation:1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:169 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:26ns/151ns
condition de test:600V, 25A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):535 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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