FGA60N65SMD

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Numéro d'article FGA60N65SMD
LIXINC Part # FGA60N65SMD
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FGA60N65SMD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FGA60N65SMD Caractéristiques

Numéro d'article:FGA60N65SMD
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):120 A
courant - collecteur pulsé (icm):180 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 60A
puissance - maximum:600 W
énergie de commutation:1.54mJ (on), 450µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:189 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:18ns/104ns
condition de test:400V, 60A, 3Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):47 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-3P-3, SC-65-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-3P

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