HGT1S3N60A4DS9A | Rochester Electronics HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S3N60A4DS9A Inventory, Best Pricing

HGT1S3N60A4DS9A

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Numéro d'article	HGT1S3N60A4DS9A
LIXINC Part #	HGT1S3N60A4DS9A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	N-CHANNEL IGBT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HGT1S3N60A4DS9A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HGT1S3N60A4DS9A Caractéristiques

Numéro d'article:	HGT1S3N60A4DS9A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	17 A
courant - collecteur pulsé (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 3A
puissance - maximum:	70 W
énergie de commutation:	37µJ (on), 25µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	21 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	6ns/73ns
condition de test:	390V, 3A, 50Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	29 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AB