NGB8206NTF4G

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Numéro d'article NGB8206NTF4G
LIXINC Part # NGB8206NTF4G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NGB8206NTF4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NGB8206NTF4G Caractéristiques

Numéro d'article:NGB8206NTF4G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):390 V
courant - collecteur (ic) (max):20 A
courant - collecteur pulsé (icm):-
vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 4.5V, 20A
puissance - maximum:150 W
énergie de commutation:-
type d'entrée:Logic
frais de porte:-
td (marche/arrêt) @ 25°c:-
condition de test:-
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK

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