HGTG11N120CND

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Numéro d'article HGTG11N120CND
LIXINC Part # HGTG11N120CND
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HGTG11N120CND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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HGTG11N120CND Caractéristiques

Numéro d'article:HGTG11N120CND
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):43 A
courant - collecteur pulsé (icm):80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 11A
puissance - maximum:298 W
énergie de commutation:950µJ (on), 1.3mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:100 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/180ns
condition de test:960V, 11A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):70 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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