HGTG27N120BN | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

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Numéro d'article	HGTG27N120BN
LIXINC Part #	HGTG27N120BN
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HGTG27N120BN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HGTG27N120BN Caractéristiques

Numéro d'article:	HGTG27N120BN
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Not For New Designs
type d'igbt:	NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	72 A
courant - collecteur pulsé (icm):	216 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 27A
puissance - maximum:	500 W
énergie de commutation:	2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	270 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	24ns/195ns
condition de test:	960V, 27A, 3Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3