SGB02N120ATMA1

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Numéro d'article SGB02N120ATMA1
LIXINC Part # SGB02N120ATMA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES,
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SGB02N120ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SGB02N120ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:SGB02N120ATMA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
courant - collecteur (ic) (max):6.2 A
courant - collecteur pulsé (icm):9.6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.6V @ 15V, 2A
puissance - maximum:62 W
énergie de commutation:220µJ
type d'entrée:Standard
frais de porte:11 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/260ns
condition de test:800V, 2A, 91Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2

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