NSB8BT-E3/81

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Numéro d'article NSB8BT-E3/81
LIXINC Part # NSB8BT-E3/81
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSB8BT-E3/81 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSB8BT-E3/81 Caractéristiques

Numéro d'article:NSB8BT-E3/81
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):100 V
courant - moyen redressé (io):8A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.1 V @ 8 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:55pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263AB
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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