ES2DHE3J_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division ES2DHE3J_A/H

ES2DHE3J_A/H

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Numéro d'article	ES2DHE3J_A/H
LIXINC Part #	ES2DHE3J_A/H
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ES2DHE3J_A/H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ES2DHE3J_A/H Caractéristiques

Numéro d'article:	ES2DHE3J_A/H
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	200 V
courant - moyen redressé (io):	2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	900 mV @ 2 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	20 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:	18pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C