BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

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Numéro d'article	BYG10M-E3/TR3
LIXINC Part #	BYG10M-E3/TR3
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BYG10M-E3/TR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BYG10M-E3/TR3 Caractéristiques

Numéro d'article:	BYG10M-E3/TR3
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Avalanche
tension - dc inverse (vr) (max):	1000 V
courant - moyen redressé (io):	1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.15 V @ 1.5 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	4 µs
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AC (SMA)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C