ES3JBHM4G

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Numéro d'article ES3JBHM4G
LIXINC Part # ES3JBHM4G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO ES3JBHM4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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ES3JBHM4G Caractéristiques

Numéro d'article:ES3JBHM4G
Marque:TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:TSC (Taiwan Semiconductor)
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):3A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.45 V @ 3 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:34pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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