VBT1080S-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VBT1080S-M3/4W

VBT1080S-M3/4W

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	VBT1080S-M3/4W
LIXINC Part #	VBT1080S-M3/4W
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VBT1080S-M3/4W Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VBT1080S-M3/4W Caractéristiques

Numéro d'article:	VBT1080S-M3/4W
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	80 V
courant - moyen redressé (io):	10A
tension - avant (vf) (max) @ si:	810 mV @ 10 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	600 µA @ 80 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AB
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C