FFD08S60S-F085

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Numéro d'article FFD08S60S-F085
LIXINC Part # FFD08S60S-F085
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 8A TO252
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FFD08S60S-F085 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FFD08S60S-F085 Caractéristiques

Numéro d'article:FFD08S60S-F085
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101, STEALTH™ II
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):8A
tension - avant (vf) (max) @ si:2.6 V @ 8 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):30 ns
courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 150°C

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