VS-10ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

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Numéro d'article	VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12S-M3
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-10ETF12S-M3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

VS-10ETF12S-M3 Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-10ETF12S-M3
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	10A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.33 V @ 10 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	310 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	D2PAK
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C