1N5417-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5417-TAP

1N5417-TAP

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Numéro d'article	1N5417-TAP
LIXINC Part #	1N5417-TAP
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N5417-TAP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N5417-TAP Caractéristiques

Numéro d'article:	1N5417-TAP
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Avalanche
tension - dc inverse (vr) (max):	200 V
courant - moyen redressé (io):	3A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.5 V @ 9 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	100 ns
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	SOD-64, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-64
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C