1N4150W-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

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Numéro d'article	1N4150W-HE3-18
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-18
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N4150W-HE3-18 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

1N4150W-HE3-18 Caractéristiques

Numéro d'article:	1N4150W-HE3-18
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	50 V
courant - moyen redressé (io):	200mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 200 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	4 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 50 V
capacité @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-123
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-123
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C