BAQ33-GS08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BAQ33-GS08

BAQ33-GS08

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	BAQ33-GS08
LIXINC Part #	BAQ33-GS08
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BAQ33-GS08 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BAQ33-GS08 Caractéristiques

Numéro d'article:	BAQ33-GS08
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	30 V
courant - moyen redressé (io):	200mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 100 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	1 nA @ 15 V
capacité @ vr, f:	3pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-80 MiniMELF
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C