JAN1N5806US

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Numéro d'article JAN1N5806US
LIXINC Part # JAN1N5806US
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO JAN1N5806US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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JAN1N5806US Caractéristiques

Numéro d'article:JAN1N5806US
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:Military, MIL-PRF-19500/477
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):150 V
courant - moyen redressé (io):2.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:975 mV @ 2.5 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):25 ns
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 150 V
capacité @ vr, f:25pF @ 10V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SQ-MELF, A
paquet de dispositif de fournisseur:D-5A
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C

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