NRVUS160VT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NRVUS160VT3G

NRVUS160VT3G

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Numéro d'article	NRVUS160VT3G
LIXINC Part #	NRVUS160VT3G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NRVUS160VT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NRVUS160VT3G Caractéristiques

Numéro d'article:	NRVUS160VT3G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.25 V @ 1 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	75 ns
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	SMB
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C