SE10FJ-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE10FJ-M3/I

SE10FJ-M3/I

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Numéro d'article	SE10FJ-M3/I
LIXINC Part #	SE10FJ-M3/I
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SE10FJ-M3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SE10FJ-M3/I Caractéristiques

Numéro d'article:	SE10FJ-M3/I
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	1A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.05 V @ 1 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	780 ns
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:	7.5pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-219AB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-219AB (SMF)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C