1SS403,H3F

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Numéro d'article 1SS403,H3F
LIXINC Part # 1SS403,H3F
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 1SS403,H3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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1SS403,H3F Caractéristiques

Numéro d'article:1SS403,H3F
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):200 V
courant - moyen redressé (io):100mA
tension - avant (vf) (max) @ si:1.2 V @ 100 mA
vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):60 ns
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:3pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-76, SOD-323
paquet de dispositif de fournisseur:USC
température de fonctionnement - jonction:125°C (Max)

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