1SS307E,L3F

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Numéro d'article 1SS307E,L3F
LIXINC Part # 1SS307E,L3F
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 1SS307E,L3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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1SS307E,L3F Caractéristiques

Numéro d'article:1SS307E,L3F
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):80 V
courant - moyen redressé (io):100mA
tension - avant (vf) (max) @ si:1.3 V @ 100 mA
vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:10 nA @ 80 V
capacité @ vr, f:6pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-79, SOD-523
paquet de dispositif de fournisseur:SC-79
température de fonctionnement - jonction:150°C (Max)

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