VS-1N3766R | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1N3766R

VS-1N3766R

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Numéro d'article	VS-1N3766R
LIXINC Part #	VS-1N3766R
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-1N3766R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-1N3766R Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-1N3766R
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard, Reverse Polarity
tension - dc inverse (vr) (max):	800 V
courant - moyen redressé (io):	35A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.8 V @ 110 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	4 mA @ 800 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Chassis, Stud Mount
paquet / caisse:	DO-203AB, DO-5, Stud
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-203AB
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 190°C