VS-SD303C08S10C | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-SD303C08S10C

VS-SD303C08S10C

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	VS-SD303C08S10C
LIXINC Part #	VS-SD303C08S10C
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-SD303C08S10C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-SD303C08S10C Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-SD303C08S10C
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	800 V
courant - moyen redressé (io):	350A
tension - avant (vf) (max) @ si:	2.26 V @ 1100 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	1 µs
courant - fuite inverse @ vr:	35 mA @ 800 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Clamp On
paquet / caisse:	DO-200AA, A-PUK
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-200AA, A-PUK
température de fonctionnement - jonction:	-