JAN1N5622US

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Numéro d'article JAN1N5622US
LIXINC Part # JAN1N5622US
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO JAN1N5622US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5622US Caractéristiques

Numéro d'article:JAN1N5622US
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:Military, MIL-PRF-19500/427
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1000 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.3 V @ 3 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):2 µs
courant - fuite inverse @ vr:500 nA @ 1000 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SQ-MELF, A
paquet de dispositif de fournisseur:D-5A
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 200°C

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