NRVUA110VT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NRVUA110VT3G

NRVUA110VT3G

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Numéro d'article	NRVUA110VT3G
LIXINC Part #	NRVUA110VT3G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 100V 2A SMA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NRVUA110VT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NRVUA110VT3G Caractéristiques

Numéro d'article:	NRVUA110VT3G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	875 mV @ 1 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	30 ns
courant - fuite inverse @ vr:	2 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:	SMA
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C