1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

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Numéro d'article	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N4448TAP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N4448TAP Caractéristiques

Numéro d'article:	1N4448TAP
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	75 V
courant - moyen redressé (io):	150mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	720 mV @ 5 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	8 ns
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 75 V
capacité @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-35
température de fonctionnement - jonction:	175°C (Max)