SE20DB-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE20DB-M3/I

SE20DB-M3/I

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SE20DB-M3/I
LIXINC Part #	SE20DB-M3/I
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SE20DB-M3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SE20DB-M3/I Caractéristiques

Numéro d'article:	SE20DB-M3/I
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	3.9A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 20 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	3 µs
courant - fuite inverse @ vr:	25 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	150pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AC (SMPD)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C