IDB30E120ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IDB30E120ATMA1 | IDB30E120ATMA1 Inventory, Best Pricing

IDB30E120ATMA1

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Numéro d'article	IDB30E120ATMA1
LIXINC Part #	IDB30E120ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IDB30E120ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IDB30E120ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IDB30E120ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	50A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	2.15 V @ 30 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	243 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-3-2
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C