IDH12G65C6XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDH12G65C6XKSA1 | IDH12G65C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDH12G65C6XKSA1

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Numéro d'article	IDH12G65C6XKSA1
LIXINC Part #	IDH12G65C6XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IDH12G65C6XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IDH12G65C6XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IDH12G65C6XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	650 V
courant - moyen redressé (io):	27A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.35 V @ 12 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	40 µA @ 420 V
capacité @ vr, f:	594pF @ 1V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-2
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-2
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C